摘要：
金融界2024年6月13日消息，天眼查知识产权信息显示，厦门乾照光电股份有限公司申请一项名为“一种双层钝化层、LED芯片及其制作方法“公开号CN202410332126.2,申请日期为2024年3月。专利摘要显示，一种双层钝化层、LED芯片及其制作方法，本发明的双层钝化层，作为客体的保是什么。
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金融界2024年6月13日消息，天眼查知识产权信息显示，厦门乾照光电股份有限公司申请一项名为“一种双层钝化层、LED芯片及其制作方法“公开号CN202410332126.2,申请日期为2024年3月。专利摘要显示，一种双层钝化层、LED芯片及其制作方法，本发明的双层钝化层，作为客体的保是什么。
电极材料及其制备方法、电极“公开号CN202310743131.8,申请日期为2023年6月。专利摘要显示，本申请涉及一种电极浆料组合物、电极材料及其制备方法、电极。该电极浆料组合物，按质量百分数计，其原料包括：铝粉40%～78%;溶剂20%～60%;粘结剂0.1%～10%;钝化剂0.1%～10%是什么。
dian ji cai liao ji qi zhi bei fang fa 、 dian ji “ gong kai hao C N 2 0 2 3 1 0 7 4 3 1 3 1 . 8 , shen qing ri qi wei 2 0 2 3 nian 6 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben shen qing she ji yi zhong dian ji jiang liao zu he wu 、 dian ji cai liao ji qi zhi bei fang fa 、 dian ji 。 gai dian ji jiang liao zu he wu ， an zhi liang bai fen shu ji ， qi yuan liao bao kuo ： lv fen 4 0 % ～ 7 8 % ; rong ji 2 0 % ～ 6 0 % ; zhan jie ji 0 . 1 % ～ 1 0 % ; dun hua ji 0 . 1 % ～ 1 0 % shi shen me 。
╯ω╰
金融界2024年6月7日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置“授权公告号CN221102083U,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体装置，其包括重分布层、钝化层以及接点特征。重分布层包括借由凹槽分隔等我继续说。
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金融界2024年6月4日消息，天眼查知识产权信息显示，深圳市麦捷微电子科技股份有限公司申请一项名为“一种有机酸钝化液辅助磁粉绝缘包覆的方法“公开号CN202410341356.5,申请日期为2024年3月。专利摘要显示，本发明公开一种有机酸钝化液辅助磁粉绝缘包覆的方法，该方法包括是什么。
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金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，隆基绿能科技股份有限公司申请一项名为“钝化材料及其应用“公开号CN117641958A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本申请提供一种钝化材料及其应用。本申请的钝化材料具有非挥发特性，退火操作对其作用机制没有影响；能等会说。
金融界2024年5月6日消息，据国家知识产权局公告，杭州新坐标科技股份有限公司申请一项名为“表面有磷皂化膜的易钝化金属冷镦线材“公开号CN117966162A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明提供表面有磷皂化膜的易钝化金属冷镦线材，该线材包括金属线材及其表面的是什么。
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金融界2024年4月25日消息，据国家知识产权局公告，天合光能股份有限公司取得一项名为“钝化接触电池“授权公告号CN220829964U,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本申请涉及一种钝化接触电池，其包括N型硅片，N型硅片包括相对设置的向光面和背光面，钝化接触电池还包括在等我继续说。
金融界2024年4月15日消息，据国家知识产权局公告，生益电子股份有限公司取得一项名为“一种不锈钢钝化液及其应用“授权公告号CN114959671B,申请日期为2022年6月。专利摘要显示，本发明公开了一种不锈钢钝化液及其应用，所述不锈钢钝化液包括硫酸、双氧水和络合剂；其中，所述好了吧！
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金融界2024年3月5日消息，据国家知识产权局公告，天合光能股份有限公司申请一项名为“钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及其制备方法“公开号CN117650196A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本申请涉及一种钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及其制备方法。..
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金融界2024年3月9日消息，据国家知识产权局公告，珠海格力电器股份有限公司申请一项名为“一种钝化层的生长方法以及绝缘栅双极晶体管晶圆“公开号CN117672814A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本发明实施例提供了一种钝化层的生长方法以及绝缘栅双极晶体管晶圆。..
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